7月18日消息，国家知识产权局信息显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司申请一项名为“一种晶圆级芯片封装结构”的专利，授权公告号CN224521672U，授权公告日为2026年7月17日。申请号为CN202521537374.7，申请公布日期为2026年7月17日，申请日期为2025年7月22日，发明人严晶玮、俞江彬、周万建，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10W74/10、H10D62/10、H10W72/00。

　　专利摘要显示，本申请提供了一种晶圆级芯片封装结构，通过在芯片本体背面设置多个开槽，然后再用第一金属填满，这样可以增加金属与硅层接触面积，提高金属与硅层的结合力。

　　天眼查数据显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本121442.6982万人民币，实缴资本126107.4075万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了47家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息63条，专利信息223条，拥有行政许可18个。

　　豪威集成电路（集团）股份有限公司近期专利情况如下：

• 序号
• 专利名称
• 专利类型
• 法律状态
• 申请号
• 申请日期
• 公开(公告)号
• 公开(公告)日期
• 发明人
• 1一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610230022.X2026-02-26CN122054628A2026-05-15党晓军、董建新、衷世雄
• 2一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610189569.X2026-02-10CN122028508A2026-05-12李登辉、许成宗、刘岚莘
• 3一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610161837.72026-02-04CN122094185A2026-05-26李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星
• 4一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610097861.92026-01-24CN122094184A2026-05-26刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗
• 5一种可调斜率的电源自动化测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037465.52025-12-31CN122043299A2026-05-15张潇、刘飞扬
• 6一种低电容瞬态抑制保护器件发明专利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗
• 7一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新
• 8一种高边开关芯片的电压检测及控制电路实用新型授权CN202521772012.62025-08-19CN224502912U2026-07-14刘选涛、洪诚、李学文
• 9一种用于优化SOA的屏蔽栅功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202521738033.62025-08-14CN224419175U2026-06-26薛华瑞、董建新、阮孟波、曹康妮
• 10一种功率MOSFET宽SOA结构版图及MOSFET实用新型授权CN202521738236.52025-08-14CN224419176U2026-06-26曹培明、衷世雄
• 11一种中高压屏蔽栅极功率器件版图及器件实用新型授权CN202521738001.62025-08-14CN224481972U2026-07-10薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰
• 12一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞
• 13一种晶圆级芯片封装结构实用新型授权CN202521537374.72025-07-22CN224521672U2026-07-17严晶玮、俞江彬、周万建
• 14一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲
• 15一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳
• 16一种MOS芯片并联封装结构实用新型授权CN202520986841.82025-05-19CN224343676U2026-06-09王健伊、门淑芳
• 17一种芯片封装结构实用新型授权CN202520843790.32025-04-28CN224343773U2026-06-09诸舜杰、董建新
• 18一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲
• 19一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新
• 20一种功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新
• 21一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波
• 22一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波
• 23一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新
• 24一种浮空注入型功率MOSFET器件实用新型授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄
• 25一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新
• 26一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件实用新型授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新
• 27一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520197895.62025-02-08CN224083958U2026-04-03党晓军、董建新、衷世雄
• 28电流感测放大器发明专利公布CN202510123203.82025-01-26CN121814040A2026-04-07木村宏之
• 29电流感测放大器发明专利公布CN202510123387.82025-01-26CN121814041A2026-04-07木村宏之
• 30一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新
• 31一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新
• 32共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新
• 33一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力
• 34一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建
• 35一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰
• 36输出电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411126829.62024-08-16CN121012487A2025-11-25石田学
• 37电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学
• 38半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳
• 39一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新
• 40负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之
• 41桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳
• 42一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙
• 43一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗
• 44一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾
• 45一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪
• 46一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄
• 47一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄
• 48一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄
• 49一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武
• 50一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202410691736.12024-05-30CN118658892A2024-09-17李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠