下一个半导体周期，这些领域是关键 集成芯片间的竞争正在愈演愈烈。在国际上，根据Semiengineering文章， 英特尔 代工、 台积电 和三星代工都在 - 雪球

在此背景下，芯片集成技术，特别是以芯粒（Chiplet）为核心的异构集成，正成为推动行业发展的关键方向。芯片集成的新方向核心在于其模块化和异构化的能力。通过先进封装技术，可以将采用不同工艺节点、来自不同制造商、甚至不同材质的芯粒组合在单一封装内。例如，对性能要求高的计算核心可采用最先进的工艺🍷乐鱼leyu体育官网制造，而对成本敏感的I/O或模拟模块则可使用成熟的工艺节点。这种方式不仅优化了各功能模块的成本与性能，还通过复用已有的芯粒设计，显著缩短了产品的开发周期和上市时间。集成芯片的主要优势体现在。

“美国制造”芯片问世，但封装仍在海外

除了台积电外，自2025年《芯片和科学法》实施以来，美国已向芯片制造商发放数十亿美元的补贴与资助，但不少企业仍抱怨：他们的客户不愿为“美国制造”支付更高成本，而倾向于选择海外更具性价比的方案。 值得关注的是，英伟达与台积电合作推出首枚“美国制造”芯片晶圆之际，正值美国政府计划推出芯片新规。据《华尔街日报》上个月报道，美国政府正酝酿一项新规，要求芯片制造商在美国本土生✳️产的半导体数量，必须与其客户从海外进口的芯片数量“对等”（即1:1比例），未能实现此比例的企业，将面临大约100。

二维超快闪存与硅基技术深度融合 我国科学家攻克芯片工程化关键难题

记者于近日从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏—刘春森团队研发出全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片，解决了存储速率的技术难题。相关研究成果8日发表于国际学术期刊《自然》。 这是复旦⛵️大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。 这一成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士。

十万→千万！复旦有机芯片重大突破！

芯片集成度可以分为小规模集成度（SSI）、中规模集成度（MSI）、大规模集成度（LSI）、超大规模集成度（VLSI）和特大规模集成度（ULSI），单片集成器件数量分别大于2、26、211、216、221。根据此前公开报道，聚合物半导体芯片最高集成度达到大规模集成度（LSI）水平。比如2025年，国外某团队制作出最高可拉伸晶体管阵列密度，可在比拇指还小的面积（0.238 c㎡）上集成超过1万个弹性晶体管。有没有可能进一步提升有机芯片集成度？如今，魏大程团队给出了答案——他们设计。

韩银和团队丨“DI-DA”芯粒集成芯片架构和集成协同设计新模式丨领军专栏

表1总结了各集成技术特征、重🈹乐鱼leyu体育官网要参数以及具有代表性的芯片架构。从2D到3.5D集成，互连密度提升，单位传输功耗降低，架构从水平延伸发展到水平竖直双向扩展，成本和工艺复杂度提升。由于单位体积内集成度增大，可靠性问题也逐渐凸显，需协同考量架构和封装设计。图2 芯粒集成技术和架构演变(1) 2D集成技术采用平面化的方式将多个芯粒集成到有机基板上，芯粒间互连通过在基板上进行刻蚀布线实现。该技术具有显著的可扩展性优势，面积可达12100 mm2，远超单芯片光罩极限858 mm2。